Investigation of maximum overheating device dependence on its size and installation density
Abstract
The theses show the results of influence studies of heated zone volume of an electronic device on its maximum overheating.References
Н. А. Ярышев, “Расчёт температуры однородного объекта при конвективном теплообмене”, Изв. вузов. Приборостроение, 2000, Т.43, № 4, С. 61.
В. И. Шелест, А. С. Кондрашов, “Концептуальный алгоритм теплофизического проектирования радиоэлектронных средств”, Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003, № 5, С. 26 – 27.
И. С. Кондрашов, “Моделирование тепловых режимов активных компонентов электронных модулей”, Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006, № 2, С. 43 – 44.
Т. А. Исмаилов, Ш. А. Юсуфов, “Температурное поле электронной платы внутри герметичного радиоэлектронного блока кассетной конструкции”, Изв. Вузов. Приборостроение, 2004, Т. 47, № 7, С. 21 – 25.
В. В. Семенец, А. М. Синотин, Т. А. Колесникова та ін. “Исследование зависимости максимального перегрева радиоэлектронного аппарата от его параметров”, Системи обробки інформації, 2018, №4, С. 29–34.
Т. А. Колесникова, В. В. Семенец, А. М. Синотин, “Исследование температурных полей РЭА методом регулярного теплового режима”, II Міжн. нук.-техн. конф. «Виробництво & Мехатронні системи» (M&MS-2018), Харків, 2018, С. 63–65.
В. В. Семенець, А. М. Сінотін, Т. А. Колесникова, “Проектування одноблокових радіоелектронних приладів із заданим тепловим режимом” : Монографія, Харків: ХНУРЕ, 2006, 172 с.
